E18000 - SEMI E180 - 通过ICP-MS测量半导体晶圆加工过程中关键腔室部件表面金属污染的试验方法

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SEMI E180-1220 - Current

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本文档介了一种使用感耦合等离子体-质谱ICP-MS腔室部件CCCs)的表面微量金属行定量分析的方法。本准旨在促和工艺设备商的沟通。它可用于促艺设备商和关腔室部件CCC)制造商之关于表面金属期及其测试方法的更好沟通。

 

本文件描述了微量金属量的流程,包括关腔室部件CCC)表面微量金属的采集,因它影响量数据的可靠性和每个测试设备的可重复性。

 

使用本文件是了确保各工艺设备商或关腔室部件CCC)制造商提供的告一致性。


本文件适用于感耦合等离子体-质谱ICP-MS定关腔室部件CCCs)(如、基座)的表面微量金属度。

 

本文件适用于未使用的关腔室部件CCC)或其零件。

 

本文件涵盖了局部萃取法和全浸泡法微量金属采集技

 

本文档中目金属有Al)、Na)、K)、Ca)、Li)、Fe)、Cu)、Ni)、Cr)、Co)、Ti)、Mg)、Zn)。



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