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免責事項： このSEMIスタンダードは，投票により作成された英語版が正式なものであり，日本語版は日本の利用者各位の便宜のために作成したものです。万が一英語と日本語とに差異がある場合には英語版記載内容が優先されます｡
SEMIスタンダード日本語翻訳版をご利用にあたっての注釈を本文の末尾に記載しております（「すべきである」「しなければならない」について等）。
本スタンダードは，Global Micropatterning Committeeで技術的に承認されたもので，North American Microlithography Committeeが直接責任を負うものである。現版は2004年8月16日North American Regional Standards Committeeにて承認されている。2004年9月にまずwww.semi.orgで入手可能になり，2004年11月
発行に至る。初版は1994年発行。
NOTICE: This Standard or Safety Guideline has an Inactive Status because the conditions to maintain Current Status have not been met. Inactive Standards or Safety Guidelines are available from SEMI and continue to be valid for use.
本書は半導体製造用フォトリソグラフィ装置，例えばスキャナー，ステッパー等［以下ここでは単に装置と呼ぶ］の焦点深度，非点収差および像面湾曲を測定および記述する為に，半導体産業のフォトリソグラフィ関係者が用いる共通の記述用語および基本技術の概要を提供する。
本仕様は，半導体製造およびその関連技術の分野で用いられるフォトリソグラフィのための，焦点位置および焦点深度の測定に限定される。装置技術においてはいくつも異なるものがあるので，これらパラメータの決定的な測定方法を提供することはできない。むしろ，本文では基本的なガイドラインを示す。
Referenced SEMI Standards
SEMI P19 — Metrology Pattern Cells for Integrated Circuit Manufacture
