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免責事項： このSEMIスタンダードは，投票により作成された英語版が正式なものであり，日本語版は日本の利用者各位の便宜のために作成したものです。万が一英語と日本語とに差異がある場合には英語版記載内容が優先されます｡
SEMIスタンダード日本語翻訳版をご利用にあたっての注釈を本文の末尾に記載しております（「すべきである」「しなければならない」について等）。
本チェックリストは，Global Micropatterning Committeeで技術的に承認されたもので，Japanese Micropatterning Committeeが直接責任を負うものである。現版は2003年4月28日Japanese Regional Standards Committeeにて承認されている。2003年6月にまずwww.semi.orgで入手可能になり，2003年7月発行に至る。初版は1996年発行。
NOTICE: This Standard or Safety Guideline has an Inactive Status because the conditions to maintain Current Status have not been met. Inactive Standards or Safety Guidelines are available from SEMI and continue to be valid for use.
本チェックリストは，基板上の単層レジストの膜厚測定用パラメータを識別する。薄膜の厚さ測定については，数種類の方法が知られているが，その中の2つの方法がレジスト膜の厚さ測定に，広く使用されている。
それらは，表面のトポロジーを検出するために，機械的に接触する方法を使用している表面輪郭計測器と，透明薄膜にのみ使用される光干渉法である。
接触法は，光干渉法より正確度は高いが，測定の精度には限界がある。光干渉法は，他の方法より精度は高いが，その測定結果は測定条件に依存する。
本ガイドラインは，リソグラフィプロセスにおける，単層レジストの膜厚測定用パラメータについて記述する。
例えば，これらは，レジストの品質管理のために，ベアシリコンウェーハ上の露光前レジスト膜厚測定，またはレジストの特性曲線決定のために，現像後に部分露光または全面露光のレジスト膜厚測定である。
Referenced SEMI Standards
None.
