注意： SEMI M23の表示は，SEMI M23.6が追加されたことにより，0703の出版サイクルで改訂されたものである。

本仕様は，半導体および電子デバイス製造に使用される単結晶高純度リン化インジウムウェーハの基板に対する要求条件について述べている。寸法と結晶方位の特性のみが下記に標準化した特性として述べられている。

完全な購入仕様としては，更に物理的，電気的およびバルク特性を規定する必要がある。これらの特性はその大きさを決定する適切なテスト方法とともに記載される。

Subordinate Standards:

SEMI M23.1-0600 — 50 mm鏡面単結晶インジウムリンウェーハの仕様

SEMI M23.2-1000 — 3インチ(76.2mm) 鏡面単結晶燐化インジウムウェーハのスタンダード

SEMI M23.3-0600 — 長方形鏡面単結晶インジウムリンウェーハの規格

SEMI M23.4-0999 — 電子デバイスならびにオプトエレクトロニクス用途100 mm径鏡面単結晶インジウムリンウェーハ仕様（ドーブテイルタイプ）

SEMI M23.5-1000 — 電子デバイスならびにオプトエレクトロニクス用途100 mm径鏡面単結晶

インジウムリンウェーハ仕様（V-GROOVEオプション）

SEMI M23.6-0703 — 150 mm鏡面単結晶インジウムリンウェーハ（ノッチ付き）の仕様

SEMI M39 — Test Method for Measuring Resistivity and Hall Coefficient and Determining Hall Mobility on Semi-Insulating GaAs Single Crystals