本スタンダードは，global Silicon Wafer Committeeで技術的に承認されている。現版は2009年9月4日，global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。2009年10月にwww.semi.orgで，そして2009年11月にCD-ROMで入手可能となる。初版は2000年2月に発行された。

 

このガイドは，シリコンウェーハの表面ラフネスの特徴を調べ，報告するのに使用する測定方法を規定する手順を記述する。それは，さらに他のタイプの平面ウェーハ材料にも適用できる。SEMI M1に規定されているようなシリコンウェーハの研磨された表面のラフネスは一般にマイクロラフネス領域にあることに注意をすべきである。

 

このガイドは，3つの重要な方法を使用するラフネスの決定に関する用語および手順を提供する。

標準化走査個所パターン

ラフネスの略語

特定のラフネス測定の識別に関しての参考試験方法

SEMI E89 — Guide for Measurement System Analysis (MSA)
SEMI M1 — Specifications for Polished Single Crystal Silicon Wafers
SEMI M20 — Practice for Establishing a Wafer Coordinate System
SEMI M50 — Test Method for Determining Capture Rate and False Count Rate