本スタンダードは，global Silicon Wafer Committeeで技術的に承認されている。現版は2008年11月19日，global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。2009年2月にwww.semi.orgで，そして2009年3月にCD-ROMで入手可能となる。初版は2008年11月に発行された。

SEMI M1ではシリコンウェーハエッジ形状の輪郭線をテンプレートで規格化しているが，その方法では複数のシリコンサプライヤーによって製造されたウェーハエッジプロファイルに規格内ではあるが広い変動を許す余地がある。

多くの先端ウェーハ応用では，引続く電子回路製造工程での変動を制御するためにエッジプロファイルのもっと狭い規格化が要求されている。これらの規格にはしばしばエッジプロファイル輪郭の部位を記述する幾つかの特性の値を含む。

エッジプロファイルに関するより狭い許容誤差を規定することに対する先行必要条件はエッジプロファイルを記述するために使われる直接的関連性ある特性の名称と測定したエッジプロファイルからこれらの特性を抽出するための方法についての取決めである。それ故これらのテスト方法では，シリコンウェーハエッジプロファイルの特性を述べるために使われる用語が命名されその意味が概略図形で例証される。

この標準は測定したエッジプロファイルからこれらの特性を導出するための二つのテスト方法を包む。

SEMI M1 — Specification for Polished Single Crystal Silicon Wafers
SEMI M20 — Practice for Establishing a Wafer Coordinate System
SEMI M59 — Terminology for Silicon Technology