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免責事項： このSEMIスタンダードは，投票により作成された英語版が正式なものであり，日本語版は日本の利用者各位の便宜のために作成したものです。万が一英語と日本語とに差異がある場合には英語版記載内容が優先されます｡
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本スタンダードは，Compound Semiconductor Materials Global Technical Committeeで技術的に承認されている。現版は2011年5月13日，global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。2011年6月にwww.semiviews.orgおよび www.semi.orgで入手可能となる。
本ガイドの目的は，シリコンカーバイドウェーハに見られるさまざまな特性と欠陥を挙げて説明し，参考情報を提供することである。有効なスタンダードが存在する場合は，それを参照し観察方法として推奨する。試験方法の考案を支援したり，SEMI M55の内容を補強することを意図して，本ガイドに技術知見を記載する。
単結晶SiC基板が産業応用されることを想定して，主に写真，図，および，関連するデータを例示することによって，単結晶SiC基板で観察される欠陥を特定し説明を加える。
欠陥に関する用語をレビューし，必要に応じて適合させる。
本文書は，SiC基板上に成長するエピタキシャル層は対象としない。
Referenced SEMI Standards
SEMI M55 — Specification for Polished Monocrystalline Silicon Carbide Wafers
