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本書の目的は，半絶縁GaAsの異なるロット間において有意義な比較ができるように，イオン注入，活性化及び生成レイヤーの測定のためのプロセスを与えることである。このテストは成果が標準的方法によって表されるように，サプライヤによって実施されることになろう。
候補ロットは，標準ASTM評価技術を使用して，抵抗率，移動度及び温度安定性に対するSEMI GaAs仕様を満足しなければならない。
表面の準備：残留酸化物を取り除くように表面処理を計画しなければならない。
注入角度を持ったエネルギーの種類及び注入量：2×1012/cm2の注入量を持つSi29を使用した150KeVのエネルギー。＜100＞から＜110＞の方向へ11～13°の傾き。
表面の準備：活性化の前には化学的処理を実施してはならない。
活性化：サンプルは，注入表面に直接接触している2次近接ウェーハとともに850°Cの温度に10分間さらされなければならない。近接ウェーハはイオン注入を受けていないこと以外は，当該ウェーハと同一でなければならない。炉の雰囲気は窒素又はアルゴンのようなガスでなければならない。
活性化されたサンプルの評価は，標準ASTM技術に従って規定されているCV輪郭，移動度及び抵抗率に基づかなければならない。
Referenced SEMI Standards
None.
