M04600 - SEMI M46 - ECV法によりエピタキシァル層内のキャリア密度プロファイルを測定するための試験方法

M04600 - SEMI M46 - ECV法によりエピタキシァル層内のキャリア密度プロファイルを測定するための試験方法

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SEMI M46-1101E (Reapproved 0309) - Superseded

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Description

スタンダードは,Global Compound Semiconductor Committeeで技術的に承認されている。現版は20081119日,global Audits and Review Subcommitteeにて発行が承認された。20092www.semi.orgで,20093CD-ROMで入手可能となる。初版は2001年に発行された。

E本文書は200111月に編集上の修正がなされた。¶7.3.3について変更がなされた。

 本文書の目的は,エピタキシァル層のキャリア濃度深さプロファイルを電気化学キャパシタンスボルテージ(ECV)プロファイリングによって,測定する方法を規定することである。

 

Referenced SEMI Standards

SEMI C1 — Guide for the Analysis of Liquid Chemicals



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