本スタンダードは，global Silicon Wafer Committeeで技術的に承認されている。現版は2010年1月20日，global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。2010年2月にwww.semi.orgで入手可能となる。初版は2001年11月発行，前版は2009年11月に発行された。
SEMI M52は，130nmから45nmまでの技術世代に用いられる走査型表面検査システム（SSIS）に求められる捕獲率（CR：Capture rateキャプチャレート）に適合した要求について規定する。
本試験方法は，局所的光散乱（LLSs）量を等価光散乱サイズに換算する機能を持った，走査型表面検査システム（SSIS）の捕獲率（CR），偽計数率（FCR）および累積的偽計数率（CFCR）を決定することをカバーする。
Referenced SEMI Standards
SEMI E89 — Guide for Measurement System Analysis (MSA)
SEMI M1 — Specification for Polished Single Crystal Silicon Wafers
SEMI M52 — Guide for Specifying Scanning Surface Inspection Systems for Silicon Wafers for the 130 nm, 90 nm, 65 nm, and 45 nm Technology
