本試験方法は，global Compound Semiconductor Committeeで技術的に承認されている。現版は2005年11月29日，global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。2006年1月にwww.semi.orgで，そして2006年3月にCD-ROMで入手可能となる。
本文書の目的は，赤外線吸収法によってSI GaAs内の深いドナーEL2の濃度を測定する方法を指定することである。
Referenced SEMI Standards
SEMI M39 — Test Method for Measuring Resistivity and Hall Coefficient and Determining Hall Mobility in Semi-Insulating GaAs Single Crystals
