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Tag：StdVol-Materials

M05700 - SEMI M57 - Specification for Silicon Annealed Wafers

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M05800 - SEMI M58 - DMAを基にしたパーティクル堆積システムとプロセス評価のためのテスト方法

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M05800 - SEMI M58 - Test Method for Evaluating DMA Based Particle Deposition Systems and Processes

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M05900 - SEMI M59 - シリコン技術の用語集

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M05900 - SEMI M59 - Terminology for Silicon Technology

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M06000 - SEMI M60 - シリコンウェーハ評価のためのSiO2の経時絶縁破壊特性の試験方法

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M06000 - SEMI M60 - Test Method for Time Dependent Dielectric Breakdown Characteristics of SiO2 Films for Si Wafer Evaluation

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M06100 - SEMI M61 - Specification for Silicon Epitaxial Wafers with Buried Layers

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M06100 - SEMI M61 - 埋め込み層付きシリコンエピタキシャルウェーハの仕様

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M00600 - SEMI M6 - 太陽光電池用シリコンウェーハの仕様

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M06200 - SEMI M62 - Specification for Silicon Epitaxial Wafers

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M06300 - SEMI M63 - 化合物半導体エピタキシャルウェーハに使用するサファイア基板の仕様

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M06300 - SEMI M63 - Test Method for Measuring the Al Fraction in AlGaAs on GaAs Substrates by High Resolution X-Ray Diffraction

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M06400 - SEMI M64 - 赤外線吸収スペクトル法による絶縁（SI）ガリウムヒ素単結晶内のEL2深いドナー濃度の試験方法

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M06400 - SEMI M64 - Test Method for the EL2 Deep Donor Concentration in Semi-Insulating (SI) Gallium Arsenide Single Crystals by Infrared Absorption Spectroscopy

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M06500 - SEMI M65 - 化合物半導体エピタキシャルウェーハに使用するサファイア基板の仕様

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M06500 - SEMI M65 - Specification for Sapphire Substrates to use for Compound Semiconductor Epitaxial Wafers

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M06600 - SEMI M66 - MISフラットバンド電圧―絶縁膜厚法を使った，酸化膜，およびhigh-κゲートスタックの有効仕事関数の算出方法

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